ВИДИ НЕСПРАВНОСТЕЙ МІКРОПРОЦЕСОРНИХ ВЕЛИКИХ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ І УМОВИ ЇХ ПРОЯВУ З УРАХУВАННЯМ ЕНЕРГОДИНАМІЧНОГО ПРОЦЕСУ

Охрамович, М., Гахович, С., Кравченко, О., Шевченко, В. (2023). TYPES OF MALFUNCTIONS OF MICROPROCESSOR LARGE INTEGRATED CIRCUITS AND CONDITIONS OF THEIR MANIFESTATION TAKING INTO ACCOUNT THE ENERGY-DYNAMIC PROCESS. Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка(79), 140–148. https://doi.org/10.17721/2519-481X/2023/79-13

У статті розглянуто математичну модель мікропроцесорних великих інтегральних схем для контролю технічного стану з урахуванням протікання енергодинамічного процесу даного класу мікроелектронних виробів, здійснено аналіз типових несправностей та  умов їх прояву. Сучасний етап розвитку радіоелектронної техніки Збройних Сил України характеризується   широким впровадженням приладів та систем, які використовують великі інтегральні схеми  та мікропроцесорних великих інтегральних схем. Це обумовлено необхідністю обробки інформації при досить низькій собівартості обладнання. При використанні цифрових пристроїв з комплектами мікропроцесорних великих інтегральних схем,  гостро постає питання контролю працездатності та виявлення дефектів таких пристроїв. Для удосконалення нових методів діагностування цифрових пристроїв виникає необхідність проаналізувати види несправностей, які виникають в мікропроцесорних великих інтегральних схемах.
Мікросхема функціонуватиме справно, якщо встановлено, що всі послідовності інструкцій виконуються правильно при різноманітних комбінаціях даних. Повна перевірка всіх інструкцій, виконуваних мікропроцесорною великою інтегральною схемою, неможлива через дуже велику довжину тестів, що використовуються для перевірки. Тому для забезпечення тестового контролю працездатності мікропроцесорних великих інтегральних схем необхідно будувати тести, виходячи з заданої сукупності дефектів, достовірності та часу для прийняття рішення. Проведений аналіз фізичних процесів у логічних елементах виготовлених за технологією “метал-діелектрик-напівпровідник” показав, що наявність існуючих дефектів приводить до відсутності перекручування імпульсу струму квазікороткого замикання і вихідної реакції. Тобто виконується умова прояву дефекту та скорочується час діагностування.