Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2

У цій дипломній роботі була представлена оптимізація буферного шару Zn(O,S) для тонко-плівкового сонячного елементу на основі Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) за рахунок варіації умов процесу росту Zn(O,S). Також були досліджені різні шляхи обробки поверхонь для покращення інтерфейсу між буферним та абсорбуючим шарами. Для сонячних елементів із буферним шаром Zn(O,S) були спостережені ефективності, що перевищували коефіцієнт корисної дії еталонного зразку зі стандартним буферним шаром CdS на 1%.

Рибальченко Є. М. Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2 : кваліфікаційна робота магістра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Рибальченко Євгеній Миколайович. - Київ, 2021. - 48 с.