Фотолюмінесценція шарів пористого GaAs та його наночастинок

У роботі наведено результати морфологічних та фотолюмінесцентних досліджень поруватих шарів GaAs, що утворюються на пластині GaAs методом електрохімічного травлення. Також були дослідженні за допомогою Zetasizer nano наночастинки арсеніда галію. Фотолюмінесценція поруватих шарів характеризувалася вузькою смугою випромінювання у видимій області. Природу цієї ФЛ можна пояснити частково існуванням гідратованих оксидів на поверхні зразків, а також квантово-розмірними явищами, що виникають при зменшенні розмірів кристаллітів.

Головащенко М. С. Фотолюмінесценція шарів пористого GaAs та його наночастинок : кваліфікаційна робота магістра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Головащенко Микола Сергійович. - Київ, 2021. - 42 с.