Репозитарій КНУ
Увійти(current)
  1. Головна
  2. Наукова періодика | Scientific periodicals
  3. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Фізико-математичні науки | Bulletin of Taras Shevchenko National University of Kyiv. Series: Physics and Mathematics
  4. 2021
  5. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Фізико-математичні науки. № 3
  6. Self-organized Au-GaAs metal-semiconductor micro- and nanostructures for applications in plasmonic photovoltaics

Self-organized Au-GaAs metal-semiconductor micro- and nanostructures for applications in plasmonic photovoltaics

Тип публікації :
Стаття
Дата випуску :
2021
Автор(и) :
Дмитрук, І. М.
Березовська, Н. І.
Майко, К. О.
Мамикін, С. В.
Мамонтова, І. Б.
Мова основного тексту :
Англійська
eKNUTSHIR URL :
https://ir.library.knu.ua/handle/15071834/26092
DOI :
10.17721/1812-5409.2021/3.26
Журнал :
Bulletin of Taras Shevchenko National University of Kyiv. Physics and Mathematics  
Випуск :
3
ISSN :
1812-5409
Початкова сторінка :
139
Кінцева сторінка :
142
Цитування :
[APA 7] Дмитрук, І. М., Березовська, Н. І., Майко, К. О., Мамикін, С. В., & Мамонтова, І. Б. (2021). Self-organized Au-GaAs metal-semiconductor micro- and nanostructures for applications in plasmonic photovoltaics. Bulletin of Taras Shevchenko National University of Kyiv. Physics and Mathematics, (3), 139–142. https://doi.org/10.17721/1812-5409.2021/3.26
[ДСТУ] Self-organized Au-GaAs metal-semiconductor micro- and nanostructures for applications in plasmonic photovoltaics / І. М. Дмитрук et al. Bulletin of Taras Shevchenko National University of Kyiv. Physics and Mathematics. 2021. no. 3. P. 139—142. DOI: 10.17721/1812-5409.2021/3.26 (date of access: 18.07.2026).
Au-GaAs metal-semiconductor composite microstructures have been prepared by an anisotropic etching of n-GaAs (100) wafers doped with Te (1016 to 1017 cm-3) with subsequent photostimulated chemical deposition of noble metal (Au) on formed semiconductor quasigratings. The microrelief topology of GaAs surface is controlled by the anisotropic etching conditions. Au metal was deposited on the structured GaAs surface as randomly placed nanoparticles of various shape and size and/or nanowires on the top of the hills of formed semiconductor microstructure. As the number of Au nanoparticles increases, they tend to localize on the ledges of the GaAs microrelief forming a system of approximately parallel nanowires. Obtained periodic structures with submicron to microns periods without Au nanoparticles and with deposited nanoparticles have been studied by means of scanning electron microscopy, optical spectroscopy (photoluminescence spectroscopy at room temperature), and photoelectric measurements. The decrease of the relative intensity of main photoluminescence band for samples with Au nanostructures compared to ones without nanoparticles deposition and simultaniously changes of the shape of photocurrent spectra of Au-GaAs microstructures have been observed. Such correlation in behaviour of measured spectra make formed Au-GaA metal-semiconductor microstructures perspective for the application in plasmonic photovoltaics.
Pages of the article in the issue: 139 - 142
Language of the article: English
Ключові слова :
solar cell gallium arsenide nanoparticle surface plasmon сонячний елемент арсенід галію наночастинка поверхневий плазмон
Файл(и) :
Вантажиться...
Ескіз
Завантажити
Формат :

Adobe PDF

Розмір :

545.91 KB

Контрольна сума :

(MD5):25015a623fe7eb70b7fc16cf8fff7504

Creative Commons Attribution 4.0 International
Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International
Контакти
  • ir.library@knu.ua
  • (044) 239-33-30
  • м. Київ, вул. Володимирська, 58, к. 42

Побудовано за допомогою Програмне забезпечення DSpace-CRIS - Розширення підтримується та оптимізується 4Наука

  • Доступність
  • Політика приватності
  • Угода користувача
  • Надіслати відгук