Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2

Тип публікації :
Магістерська робота
Дата випуску :
2021
Автор(и) :
Рибальченко Євгеній Миколайович
Мова основного тексту :
eKNUTSHIR URL :
Цитування :
Рибальченко Є. М. Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2 : кваліфікаційна робота магістра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Рибальченко Євгеній Миколайович. - Київ, 2021. - 48 с.
У цій дипломній роботі була представлена оптимізація буферного шару Zn(O,S) для тонко-плівкового сонячного елементу на основі Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) за рахунок варіації умов процесу росту Zn(O,S). Також були досліджені різні шляхи обробки поверхонь для покращення інтерфейсу між буферним та абсорбуючим шарами. Для сонячних елементів із буферним шаром Zn(O,S) були спостережені ефективності, що перевищували коефіцієнт корисної дії еталонного зразку зі стандартним буферним шаром CdS на 1%.
Галузі знань та спеціальності :
Тип зібрання :
Publication
Файл(и) :
Ескіз
Формат

Adobe PDF

Розмір :

1.89 MB

Контрольна сума:

(MD5):a0275031841e5f3eb71e81ce9d07594a

Ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons CC BY-NC