Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2
Тип публікації :
Магістерська робота
Дата випуску :
2021
Автор(и) :
Рибальченко Євгеній Миколайович
Мова основного тексту :
uk_UA
ua
eKNUTSHIR URL :
Цитування :
[APA 7] Рибальченко, Є. М. (2021). Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2 [Магістерська робота, Київський національний університет імені Тараса Шевченка]. eKNUTSHIR. https://ir.library.knu.ua/handle/123456789/1959
[ДСТУ] Рибальченко Є. М. Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2 : кваліфікаційна робота магістра : 10 Природничі науки. Київ, 2021. 48 с. URL: https://ir.library.knu.ua/handle/123456789/1959 (дата звернення: 25.07.2026).
У цій дипломній роботі була представлена оптимізація буферного шару Zn(O,S) для тонко-плівкового сонячного елементу на основі Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) за рахунок варіації умов процесу росту Zn(O,S). Також були досліджені різні шляхи обробки поверхонь для покращення інтерфейсу між буферним та абсорбуючим шарами. Для сонячних елементів із буферним шаром Zn(O,S) були спостережені ефективності, що перевищували коефіцієнт корисної дії еталонного зразку зі стандартним буферним шаром CdS на 1%.
Галузі знань та спеціальності :
10 Природничі науки
105 Прикладна фізика та наноматеріали
Файл(и) :![Ескіз]()
Вантажиться...
Формат :
Adobe PDF
Розмір :
1.89 MB
Контрольна сума :
(MD5):a0275031841e5f3eb71e81ce9d07594a
Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International