Репозитарій КНУ
  • Yкраї́нська
  • English
  • Увійти
    Новий користувач? Зареєструйтесь.Забули пароль?
Репозитарій КНУ
  • Фонди & Зібрання
  • Статистика
  • Yкраї́нська
  • English
  • Увійти
    Новий користувач? Зареєструйтесь.Забули пароль?
  1. Головна
  2. Наукова періодика | Scientific periodicals
  3. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія | Bulletin of Taras Shevchenko National University of Kyiv. Chemistry
  4. 2023
  5. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія. Вип. 1(58)
  6. Нанорозмірні матеріали для створення високочутливих напівпровідникових газових сенсорів
 
  • Деталі
Параметри

Нанорозмірні матеріали для створення високочутливих напівпровідникових газових сенсорів

Тип публікації :
Стаття
Дата випуску :
2023
Автор(и) :
Олексенко Людмила Петрівна 
Кафедра фізичної хімії 
Максимович Неллі
Федоренко Георгій
Ріпко Олександр
Симоненко Єлизавета
Мова основного тексту :
Ukrainian
eKNUTSHIR URL :
https://ir.library.knu.ua/handle/15071834/5507
DOI :
10.17721/1728-2209.2023.1(58).10
Журнал :
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія 
Випуск :
1(58)
ISSN :
1728-2209 (Print)
Початкова сторінка :
55
Кінцева сторінка :
60
Цитування :
Нанорозмірні матеріали для створення високочутливих напівпровідникових газових сенсорів / Л. Олексенко та ін. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія. 2023. Вип. 1(58). С. 55–60.
В с т у п. Для створення адсорбційно-напівпровідникових газових сенсорів, що мають високу чутливість і хороші динамічні характеристики у поєднанні з малою масою, габаритами й низьким енергоспоживанням, надзвичайно
актуальним є розроблення нових оксидних нанорозмірних матеріалів на основі діоксиду олова.
Метою пропонованої роботи є підвищення чутливості напівпровідникових сенсорів на основі діоксиду олова, якого можна досягти, наприклад, зменшенням розміру частинок напівпровідникового матеріалу, що зумовлює збільшення частки атомів матеріалу на його поверхні щодо загальної кількості атомів в об'ємі, яка може обумовлювати розмірний ефект при формуванні чутливості сенсорів, а також синтезувати золь-гель-методом нанорозмірний діоксид олова й дослідити його як матеріал газочутливого шару сенсорів.
М е т о д и. Фізико-хімічні властивості синтезованих матеріалів вивчали методами ТЕМ, РФА, ІЧ-спектроскопії, ДТА-ДТГ, теплової десорбції аргону й електрофізичним методом.
Р е з у л ь т а т и. Золь-гель-методом синтезовано нанорозмірний вихідний напівпровідниковий матеріал на основі діоксиду олова й охарактеризовано його методами ІЧ-спектроскопії, РФА, ДТА-ДТГ, ТЕМ. Сенсорні наноматеріали, одержані із синтезованого діоксиду олова, було приготовано з паст, що містили різні кількості SnO2 та карбоксиметилцелюлози й були сформовані за температур 400 та 600 oС. Установлено, що склад пасти значною мірою впливає на характеристики сенсорів, отриманих на їх основі. Найвищу чутливість до водню мають сенсори, що створені на основі пасти із 70 % SnO2. Характеристики сенсорів різного складу пояснюються необхідністю наявності значної кількості контактів між частинками сенсорного матеріалу, що забезпечують електричну провідність сенсора. Екстремальний характер температурної залежності чутливості сенсорів, створених із синтезованого матеріалу, підтверджує внесок розмірного ефекту у формування чутливості.
В и с н о в к и . На основі нанорозмірного матеріалу, отриманого в ході золь-гель-синтезу, створено високочутливі напівпровідникові сенсори водню. Дослідження газочутливих властивостей до водню сенсорів, вироблених із синтезованого наноматеріалу, показали перспективність його використання для створення високочутливих напівпровідникових газових сенсорів.
Ключові слова :

нанорозмірні матеріал...

золь-гель-синтез

діоксид олова

напівпровідникові сен...

nanosized materials

sol-gel synthesis

tin dioxide

semiconductor sensors...

sensitivity to hydrog...

Галузі знань та спеціальності :
10 Природничі науки
Галузі науки і техніки (FOS) :
Природничі науки
Тип зібрання :
Publication
Файл(и) :
Вантажиться...
Ескіз
Формат

Adobe PDF

Розмір :

559.39 KB

Контрольна сума:

(MD5):7bd6ee9eed56dc813714a7ffc9bc8514

Ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons CC BY-NC-SA

Налаштування куків Політика приватності Угода користувача Надіслати відгук

Побудовано за допомогою Програмне забезпечення DSpace-CRIS - Розширення підтримується та оптимізується 4Наука

м. Київ, вул. Володимирська, 58, к. 42

(044) 239-33-30

ir.library@knu.ua