Оптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF
Тип публікації :
Магістерська робота
Дата випуску :
2021
Автор(и) :
Кандибка Ірина Віталіївна
Мова основного тексту :
uk_UA
ua
eKNUTSHIR URL :
Цитування :
[APA 7] Кандибка, І. В. (2021). Оптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF [Магістерська робота, Київський національний університет імені Тараса Шевченка]. eKNUTSHIR. https://ir.library.knu.ua/handle/123456789/1369
[ДСТУ] Кандибка І. В. Оптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF : кваліфікаційна робота магістра : 10 Природничі науки. Київ, 2021. 51 с. URL: https://ir.library.knu.ua/handle/123456789/1369 (дата звернення: 25.07.2026).
У цій роботі представлений новий метод утворення локальних контактних отворів у пасиваційномушарі оксиду алюмінію (Al2O3) на задній поверхні надтонких сонячних елементів CIGS за рахунок селенування солі фториду літію (LiF) на поверхніAl2O3. Описаний метод є економічно ефективним, швидким, сумісним з промисловим виробництвом та екологічно чистим.Вперше контактні нанорозмірніотвори з однорідним розподілом утворено у відносно товстому шарі Al2O3що досягає 30 нм за допомогою економічно ефективного методу.
Галузі знань та спеціальності :
10 Природничі науки
105 Прикладна фізика та наноматеріали
Файл(и) :![Ескіз]()
Вантажиться...
Формат :
Adobe PDF
Розмір :
2.9 MB
Контрольна сума :
(MD5):e85fe201223186bbf2c585a072ca634d
Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International