Оптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF

У цій роботі представлений новий метод утворення локальних контактних отворів у пасиваційномушарі оксиду алюмінію (Al2O3) на задній поверхні надтонких сонячних елементів CIGS за рахунок селенування солі фториду літію (LiF) на поверхніAl2O3. Описаний метод є економічно ефективним, швидким, сумісним з промисловим виробництвом та екологічно чистим.Вперше контактні нанорозмірніотвори з однорідним розподілом утворено у відносно товстому шарі Al2O3що досягає 30 нм за допомогою економічно ефективного методу.

Кандибка І. В. Оптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF : випускна кваліфікаційна робота магістра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Кандибка Ірина Віталіївна. - Київ, 2021. - 51 с.