Structure and optical parameters of the system with porous silicon: ellipsometric study
Тип публікації :
Тези конференції
Дата випуску :
20 квітня 1998 р.
Автор(и) :
Odarych, Volodymyr A.
Boltovec, Mykola S.
Rudenko, Olga V.
Pasichnyj, Volodymyr O.
Науковий(і) керівник(и)/редактор(и) :
Sergey V. Svechnikov
Mikhail Y. Valakh
Мова основного тексту :
Англійська
eKNUTSHIR URL :
DOI :
Конференція/Видання :
Optical Diagnosis of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics. Proceedings of SPIE
Том :
3359
ISSN :
0277-786X
Початкова сторінка :
59
Кінцева сторінка :
64
Цитування :
[APA 7] Odarych, V. A., Даценко, О. І., Boltovec, M. S., Rudenko, O. V., & Pasichnyj, V. O. (1998). Structure and optical parameters of the system with porous silicon: ellipsometric study. In V. S. Sergey, & Y. V. Mikhail (Eds.), Optical Diagnosis of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics. Proceedings of SPIE (pp. 59–64). https://doi.org/10.1117/12.306190
[ДСТУ] Structure and optical parameters of the system with porous silicon: ellipsometric study / V. A. Odarych et al. Optical Diagnosis of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics. Proceedings of SPIE : матеріали конф. / за ред. V. S. Sergey, Y. V. Mikhail. Kyiv : SPIE, 1998. P. 59—64. DOI: 10.1117/12.306190 (date of access: 25.07.2026).
The prmcipal angle-of-incidence and effipticity tgp ofthe light reflected from PS surface are measured in the visible on two samples by spectroellipsometry methods. The dependence of the reflected light intensity in the s-plane and ellipsometric parameters on the angle-of-incidence and photoluminescence spectra excited by a pulsed nitrogen laser are recorded as well. An increase of the photoluminescence intensity in storing the sample in the atmosphere and corresponding change of the chipsometric curves are detected. The obtained evidence indicate the formation of a two-layer structure during electrochemical etching of silicon, the outer layer being transparent and supposedly consisting of silicon compound with nanociystalline silicon residuals, while the inner one being the layer ofporous silicon whose pores are filled with the same compound. Assuming that the compound is silicon dioxide, we have determined the fraction ofsilicon in the outer layer. The layer refraction index and thickness are determined. It is established that the photoluminescence is more intense in the sample regions with thicker outer layer.
Ключові слова :
Галузі знань та спеціальності :
10 Природничі науки::104 Фізика та астрономія
Галузі науки і техніки (FOS) :
Фізичні науки
Файл(и) :![Ескіз]()
Вантажиться...
Формат :
Adobe PDF
Розмір :
708.08 KB
Контрольна сума :
(MD5):a6a02dcc2cf7666085368b5238fa23e3
Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International