Lateral photoconductivity of GeSn alloys

Derenko, Serhii; Кондратенко, Сергій Вікторович; Datsenko, Oleksandr; Mazur, Yuriy; Shui-Qing Yu; Salamo, Gregory

doi:10.1117/12.2583072

Lateral photoconductivity of GeSn alloys

Тип публікації :

Тези конференції

Дата випуску :

5 березня 2021 р.

Автор(и) :

Derenko, Serhii

Taras Shevchenko National University of Kyiv

Кондратенко, Сергій Вікторович

Кафедра оптики

Datsenko, Oleksandr

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Mazur, Yuriy

Institute of Nano Science and Engineering, University of Arkansas

Shui-Qing Yu

Department of Electrical Engineering, University of Arkansas

Salamo, Gregory

City University of New York, University Arkansas

Мова основного тексту :

Англійська

eKNUTSHIR URL :

https://ir.library.knu.ua/handle/15071834/8233

DOI :

10.1117/12.2583072

Конференція/Видання :

Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIX (SPIE)

Цитування :

[APA 7] Derenko, S., Кондратенко, С. В., Datsenko, O., Mazur, Y., Shui-Qing, Y., & Salamo, G. (2021). Lateral photoconductivity of GeSn alloys. In Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIX (SPIE). https://doi.org/10.1117/12.2583072

[ДСТУ] Lateral photoconductivity of GeSn alloys / S. Derenko et al. Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIX (SPIE) : матеріали конф. Kyiv : SPIE, 2021. DOI: 10.1117/12.2583072 (date of access: 25.07.2026).

We report a study of the photoconductivity mechanism and transport paths of photoexcited charge carriers in the GeSn/Ge/Si heterostructures. The dark conductivity was studied as a function of temperature, which allowed to identify of the presence of deep levels at EV+(100÷130) meV. We have established that point defects are the source of a band of electronic states and determine the photoconductivity response. The photocurrent dependencies on excitation intensity demonstrate that the main conduction occurs mainly through the Ge layer under low pumping and through the Si substrate under high one, since the GeSn top layer is much thinner has a much higher conductivity. This detailed understanding of the recombination processes is of critical importance for developing GeSn/Ge-based optoelectronic devices.

Ключові слова :

photoconductivity GeSn alloys transport defects

Галузі знань та спеціальності :

10 Природничі науки::104 Фізика та астрономія

Галузі науки і техніки (FOS) :

Фізика конденсованих систем

Оптика

Файл(и) :

Формат :

Adobe PDF

Розмір :

436.32 KB

Контрольна сума :

(MD5):1fa0df8a16deb7f6044435c6749b8379

Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International

Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International