Заміщення Ba2+/Ln3+ в системі GdLnXBa2-X Cu3O7±Z (Ln-La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd) 0≤X ≤ 0,6

Войтенко, Т. (2013). Заміщення Ba2+/Ln3+ в системі GdLnXBa2-X Cu3O7±Z (Ln-La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd) 0≤X ≤ 0,6. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія, 1(49). 5-7.

Синтезовано серію зразків ВТНП кераміки складу GdLnxBa2-xCu3O7±z (Ln-La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd 0£ x £ 0,6). Досліджено залежність параметрів, виду симетрії кристалічної гратки систем та кисневої стехіометрії від ступеня заміщення х. Встановлено, що для твердих розчинів GdLnxBa2-xCu3O7±z (Ln-La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd) лише сполуки зі ступенем заміщення х=0 та х=0,05 в інтервалі температур 77−300 К проявляють надпровідні властивості.