Електронні рівні дефектів у наноструктурах In(Ga)As/(In)GaAs: огляд

Datsenko O. I., Kravchenko V. M., Golovynskyi S. Electron levels of defects in In(Ga)As/(In)GaAs nanostructures: A review. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2024. Vol. 27, no. 2. P. 194–207. URL: https://doi.org/10.15407/spqeo27.02.194 (date of access: 17.10.2025).

Систематизовано дані про електронні рівні, індуковані дефектами в наноструктурах In(Ga)As/(In)GaAs, їхню локалізацію, енергію активації та ідентифікацію. Перераховано точкові дефекти, властиві GaAs і виявлені в наноструктурах на основі (In)GaAs, а також уточнено їх класифікацію, включаючи EB3, EL2, EL3, EL4 (M4), EL5, EL6 (M3), EL7, EL8, EL9 (M2), EL10 (M1), EL11 (M0) і M00. Описано вплив інтерфейсів на формування різних типів протяжних дефектів. Усі рівні електронних пасток, виявлені в гетероструктурах із квантовими ямами, нанодротинками та точками за допомогою спектроскопії глибоких рівнів, зібрані в таблицю із зазначенням методики виявлення, об’єкта, розташування в структурі та припущенням про їхнє походження. Цей огляд може бути корисним як довідковий матеріал для дослідників, які вивчають такі наноструктури.