Електронні рівні дефектів у наноструктурах In(Ga)As/(In)GaAs: огляд

Тип публікації :
Стаття
Дата випуску :
21 червня 2024 р.
Автор(и) :
Datsenko, Oleksandr 
Kravchenko, Vladyslav
Taras Shevchenko National University of Kyiv
Golovynskyi, Sergii
Institute of Semiconductor Physics, Shenzhen University, Taras Shavchenko Kyiv National University, Taras Shevchenko National University of Kyiv
Мова основного тексту :
Англійська
eKNUTSHIR URL :
DOI :
Том :
27
Випуск :
02
ISSN :
1560-8034
Початкова сторінка :
194
Кінцева сторінка :
207
Цитування :
[APA 7] Datsenko, O., Kravchenko, V., & Golovynskyi, S. (2024). Electron levels of defects in In(Ga)As/(In)GaAs nanostructures: A review. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 27(02), 194–207. https://doi.org/10.15407/spqeo27.02.194
[ДСТУ] Datsenko O., Kravchenko V., Golovynskyi S. Electron levels of defects in In(Ga)As/(In)GaAs nanostructures: A review. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2024. Vol. 27, no. 02. P. 194—207. DOI: 10.15407/spqeo27.02.194 (date of access: 25.07.2026).
Систематизовано дані про електронні рівні, індуковані дефектами в наноструктурах In(Ga)As/(In)GaAs, їхню локалізацію, енергію активації та ідентифікацію. Перераховано точкові дефекти, властиві GaAs і виявлені в наноструктурах на основі (In)GaAs, а також уточнено їх класифікацію, включаючи EB3, EL2, EL3, EL4 (M4), EL5, EL6 (M3), EL7, EL8, EL9 (M2), EL10 (M1), EL11 (M0) і M00. Описано вплив інтерфейсів на формування різних типів протяжних дефектів. Усі рівні електронних пасток, виявлені в гетероструктурах із квантовими ямами, нанодротинками та точками за допомогою спектроскопії глибоких рівнів, зібрані в таблицю із зазначенням методики виявлення, об’єкта, розташування в структурі та припущенням про їхнє походження. Цей огляд може бути корисним як довідковий матеріал для дослідників, які вивчають такі наноструктури.
Ключові слова :
InAs/GaAs nanoheterostructures defect electron state deep level spectroscopy наногетероструктури дефект електронний стан спектроскопія глибоких рівнів
Галузі знань та спеціальності :
10 Природничі науки::104 Фізика та астрономія
Галузі науки і техніки (FOS) :
Фізика конденсованих систем
Файл(и) :
Вантажиться...
Ескіз
Завантажити
Формат :

Adobe PDF

Розмір :

1.08 MB

Контрольна сума :

(MD5):d294f06150d6c1b20f10d96054f67e9d

Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International
Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International