Репозитарій КНУ
Увійти(current)
  1. Головна
  2. Наукова періодика | Scientific periodicals
  3. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія | Bulletin of Taras Shevchenko National University of Kyiv. Chemistry
  4. 2020
  5. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія. Вип. 1(57)
  6. Газочутливі напівпровідникові наноматеріали для створення сенсорів водню

Газочутливі напівпровідникові наноматеріали для створення сенсорів водню

Тип публікації :
Стаття
Дата випуску :
14 грудня 2020 р.
Автор(и) :
Матушко, Ігор Павлович  
НДЧ
Олексенко Людмила Петрівна  
Кафедра фізичної хімії  
Максимович, Неллі Петрівна  
НДЧ
Сколяр, Г.
Київський національний університет імені Тараса Шевченка  
Роїк Олександр Сергійович  
Кафедра фізичної хімії  
Федоренко, Г.
Київський національний університет імені Тараса Шевченка  
Луценко, Л.
Київський національний університет імені Тараса Шевченка  
Ріпко, О.
Київський національний університет імені Тараса Шевченка  
Мова основного тексту :
Ukrainian
eKNUTSHIR URL :
https://ir.library.knu.ua/handle/15071834/12502
DOI :
10.17721/1728-2209.2020.1(57).10
Журнал :
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія  
Випуск :
1 (57)
ISSN :
1728-2209
Початкова сторінка :
40
Кінцева сторінка :
44
Цитування :
[APA 7] Матушко, І. П., Олексенко, Л. П., Максимович, Н. П., Сколяр, Г., Роїк, О. С., Федоренко, Г., Луценко, Л., & Ріпко, О. (2020). Gas sensitive semiconductor nanomaterials for creation of hydrogen sensors. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія, (1 (57)), 40–44. https://doi.org/10.17721/1728-2209.2020.1(57).10
[ДСТУ] Gas sensitive semiconductor nanomaterials for creation of hydrogen sensors / І. П. Матушко et al. Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Хімія. 2020. no. 1 (57). P. 40—44. DOI: 10.17721/1728-2209.2020.1(57).10 (date of access: 17.07.2026).
Із застосуванням методу співосадження та золь-гель технології отримано напівпровідникові мікрокристалічні та нанорозмірні матеріали на основі SnO2/Sb2O5 та Со/SnO2/Sb2O5. Вивчено морфологію та фазовий склад одержаних матеріалів. Встановлено, що одержані Со-вмісні сенсори, газочутливий шар яких створений на основі нанорозмірного матеріалу SnO2/Sb2O5 (0,15 %Sb), виявляють вищу чутливість до мікроконцентрації Н2 (40 ppm) порівняно з сенсорами з газочутливим шаром, створеним на основі мікрокристалічного матеріалу. Дослідженнями динамічних параметрів сенсорів показано, що сенсори на основі наноматеріалу мають майже вдвічі кращу швидкодію та менший час релаксації порівняно з сенсорами на основі мікрокристалічного матеріалу, близького за хімічним складом. Отримані результати пояснено з погляду енергетичної неоднорідності нанорозмірного та мікрокристалічного матеріалів поверхні газочутливого шару сенсорів.
Ключові слова :
напівпровідникові матеріали Со/SnO2/Sb2O5 сенсори водень чутливість швидкодія semiconductor Со/SnO2/Sb2O5 materials sensors hydrogen sensitivity response and recovery time
Галузі знань та спеціальності :
10 Природничі науки
Галузі науки і техніки (FOS) :
Природничі науки
Файл(и) :
Вантажиться...
Ескіз
Формат :

Adobe PDF

Розмір :

722.96 KB

Контрольна сума :

(MD5):9faaceeb566ff8c9c95628c735ff61f3

Creative Commons Attribution 4.0 International
Якщо не вказано інше, ця робота розповсюджується на умовах ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International
Контакти
  • ir.library@knu.ua
  • (044) 239-33-30
  • м. Київ, вул. Володимирська, 58, к. 42

Побудовано за допомогою Програмне забезпечення DSpace-CRIS - Розширення підтримується та оптимізується 4Наука

  • Доступність
  • Політика приватності
  • Угода користувача
  • Надіслати відгук