Електродинаміка структурованих нанокомпозитів, молекулярних та анізотропних середовищ для новітніх інформаційних та біофізичних технологій

В ході виконання роботи вперше досліджувалася взаємодія технологічно перспективних матеріалів з фазовим переходом (гібридних перовськітів CH3NH3PbI4 та (C5H11NH3)2PbI4, VO2) з мікрохвильовим випроміненням. Запропоновано спосіб керування мікрохвильовим випроміненням за допомогою полімерного композиту на основі діоксиду ванадію.
Розроблено 3D модель нанолокального фотохімічного щавлення для полірування шорсткої поверхні кварцу при її освітленні з боку кварцу під критичним кутом повного внутрішнього відбиття. Запропонована модель дає змогу описати еволюцію поверхні в ході полірування при довільному напрямку напруженості електричного поля відносно площини падіння світла. Досліджено вплив напрямку вектора електричної складової електромагнітного випромінювання на процес нанолокального фотохімічного щавлення поверхні кварцу. Виявлено, що при опроміненні шорсткої поверхні лінійно поляризованим світлом, електрична складова поля якого паралельна площині падіння світла, на поверхні утворюються борозни з ребрами, паралельними напрямку поля. Використання двох джерел лінійно поляризованого лазерного випромінювання, що освітлює поверхню в ортогональних площинах, забезпечує досягнення необхідного рівня шорсткості в ході фотохімічного полірування.
Розроблена модель слабкого сигналу та межі її застосування для телекомунікаційних волокон, а також високоточна методика аналітичного відтворення профілю ВКР підсилення одномодових кварцових волокон. Оцінена мінімально досяжна нерівномірність смуги підсилення при використанні багатохвильових джерел помпування, що містять від двох до восьми лазерів накачування.
Створена модель взаємодії низькочастотних флуктуацій поверхневого потенціалу з каналами низьковимірної провідності, взаємодії іонів на поверхні Si MOSFET структур із 1D каналом провідності. Виявлено і досліджено вплив оптичного випромінювання на флуктуації електричного струму, які є інформативним параметром нанобіосенсора.