Репозитарій КНУ
  • Yкраї́нська
  • English
  • Увійти
    Новий користувач? Зареєструйтесь.Забули пароль?
Репозитарій КНУ
  • Фонди & Зібрання
  • Статистика
  • Yкраї́нська
  • English
  • Увійти
    Новий користувач? Зареєструйтесь.Забули пароль?
  1. Головна
  2. Проєкти | Projects
  3. Загальнодержавні гранти | National grants
  4. Фізико-хімічні властивості наноструктурованих карбон-вмісних та напівпровідникових тонкоплівкових структур для потреб відновлювано-водневої енергетики
 
Параметри

Фізико-хімічні властивості наноструктурованих карбон-вмісних та напівпровідникових тонкоплівкових структур для потреб відновлювано-водневої енергетики

Вантажиться...
Ескіз
Координатор консорціуму :
Київський національний університет імені Тараса Шевченка 
Внутрішній номер проєкту :
22БФ051-05
Координатор проєкту/Науковий керівник :
Коротченков, Олег Олександрович 
Статус проєкту :
завершений
Дата початку :
1 березня 2023 р.
Дослідники :
Кузьмич, Андрій Григорович 
Надточій, Андрій Борисович 
Половина, Олексій Іванович 
Горб, Алла Миколаївна 
Саєнко, Галина Володимирівна 
Ліщук, Павло Олександрович 
Організації-учасники :
Київський національний університет імені Тараса Шевченка 
eKNUTSHIR URL :
https://ir.library.knu.ua/handle/15071834/5905
Ключові слова :

графен-полімерний нан...

напівпровідниковий ге...

термо-ЕРС

фото-ЕРС

фотоакустичне перетво...

Анотація :
Виявлено суттєве зростання коефіцієнту теплопровідності композитної системи поруватий кремній / іонна рідина та запропоновано пояснення цього явища, пов’язане зі структуруванням рідини на межі поділу із Si. Запропоновано модель опису теплопереносу у полімер-графенових нанокомпозитах, що враховує контактний тепловий опір на межах поділу графен / матриця та графен / наночастинка при декоруванні графену наночастинками. Виявлено, що мікроструктурні перетворення, залежні від товщини нанесеної на поверхню кремнію плівки ZnO, збільшує у декілька разів величину сигналу фото-ЕРС та уповільнює кінетику її релаксації. Експериментально показано, що формування p-n переходу у гетероструктурі p-NiO/n-ZnO/Si дозволяє у декілька разів збільшити величину фото-ЕРС та пришвидчити її релаксацію у порівнянні зі значенням фото-ЕРС на поверхні кремнію.
Джерело фінансування:
Міністерство освіти і науки України
0122U001953
Налаштування куків Політика приватності Угода користувача Надіслати відгук

Побудовано за допомогою Програмне забезпечення DSpace-CRIS - Розширення підтримується та оптимізується 4Наука

м. Київ, вул. Володимирська, 58, к. 42

(044) 239-33-30

ir.library@knu.ua