Банзак, О.В.О.В.БанзакСєлюков, О.В.О.В.СєлюковГабер, А.А.А.А.ГаберКоноваленко, О.І.О.І.КоноваленкоВозікова, Л.М.Л.М.Возікова2026-06-162026-06-162022Банзак, О., Сєлюков, О., Габер, А., Коноваленко, О., Возікова, Л. (2022). RESEARCH OF PHYSICAL PROCESSES AND DEVELOPMENT OF METHODS FOR RADIATION MODIFICATION PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS DEVICES. Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка(74), 5–13. https://doi.org/10.17721/2519-481X/2022/74-0110.17721/2519-481X/2022/74-01https://ir.library.knu.ua/handle/15071834/23514Operation of solid-state electronics products in the field of ionizing radiation can significantly change their properties, contributing to their premature destruction or loss of technical characteristics necessary for normal operation of the equipment. The changes observed in this case are caused by a number of specific processes discussed above. Distinguish between reversible and irreversible changes.Irreversible (residual) include radiation changes that remain partially or completely after the termination of exposure. The magnitude of radiation changes is determined by the amount of energy absorbed by materials when interacting with radiation, as well as the rate at which this energy is transferred to them. It depends on the type of radiation and its parameters (energy spectrum, flux density, intensity, etc.), as well as on the nuclear-physical characteristics of materials.Criteria for the radiation resistance of photodetectors. The criterion for the parametric reliability of photodetectors is formulated on the basis that the object under consideration degrades its parameters gradually, both with an increase in the duration of exposure and the dose of radiation. The purpose of the photodetectors, the imposed restrictions on the criterion of their performance, as well as the physics of the effect of radiation, allow us to consider photodetectors as an object functioning under noise conditions. This allows statistical analysis methods to be applied. With this approach, we can use a well-studied mathematical apparatus for testing statistical hypotheses. Three criteria of radiation resistance of photodetectors are proposed. The first is the signal-to-noise ratio in the interpretation of sufficient statistics, the second is the criterion for the average detection error (Kotelnikov's criterion), and the third is the Bayesian risk criterion. This article examines the physical processes and the development of methods for radiation modification of the parameters of semiconductor optoelectronic devices.Експлуатація виробів твердотільної електроніки в полі іонізуючих випромінювань може істотно змінювати їх властивості, сприяючи передчасному руйнуванню або втраті необхідних для нормальної роботи апаратури технічних характеристик. Спостерігаються у своїй зміни або зумовлюються низкою специфічних процесів, розглянутих вище. Розрізняють оборотні та незворотні зміни. До необоротних (залишкових) відносять радіаційні зміни, що зберігаються частково або повністю після припинення опромінення. Величина радіаційних змін визначається кількістю енергії, що поглинається матеріалами при взаємодії з випромінюванням, а також швидкістю, з якою ця енергія передається. Вона залежить від виду випромінювання та його параметрів (енергетичного спектра, щільності потоку, інтенсивності та ін.), а також від ядерно-фізичних характеристик матеріалів. Критерії радіаційної стійкості пристроїв, що фотоприймають. Критерій параметричної надійності пристроїв, що фотоприймають сформульований, виходячи з того, що об'єкт, що розглядається, погіршує свої параметри поступово як при збільшенні тривалості впливу, так і дози випромінювання. Призначення пристроїв, що фотоприймають, обмеження, що накладаються на критерій їх працездатності, а також фізика впливу радіації дозволяють розглядати пристрої, що фотоприймають як об'єкт, що функціонує в умовах шуму. Це дозволяє застосувати статистичні методи аналізу. За такого підходу ми можемо використовувати добре вивчений математичний апарат перевірки статистичних гіпотез.Пропонуються три критерії радіаційної стійкості фотоприймальних пристроїв. Перший – відношення сигнал/шум у трактуванні достатніх статистик, другий – критерій середньої помилки виявлення (критерій Котельникова) та третій – критерій Байєсовського ризику.У цій статті розглянуто фізичні процеси та розробку методів радіаційної модифікації параметрів приладів напівпровідникових приладів оптоелектроніки.ensolid-state electronicsradiation changesstatistical methods of analysisphotodetectorsтвердотільна електронікарадіаційні змінистатистичні методи аналізуфотоприймальні пристроїСтаття