Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2
Дата
2021
Автори
Рибальченко Євгеній Миколайович
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
Анотація
У цій дипломній роботі була представлена оптимізація буферного шару Zn(O,S) для тонко-плівкового сонячного елементу на основі Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) за рахунок варіації умов процесу росту Zn(O,S). Також були досліджені різні шляхи обробки поверхонь для покращення інтерфейсу між буферним та абсорбуючим шарами. Для сонячних елементів із буферним шаром Zn(O,S) були спостережені ефективності, що перевищували коефіцієнт корисної дії еталонного зразку зі стандартним буферним шаром CdS на 1%.
Бібліографічний опис
Галузь знань та спеціальність
10 Природничі науки , 105 Прикладна фізика та наноматеріали
Бібліографічний опис
Рибальченко Є. М. Ріст буферного шару Zn(O,S) та оптимізація його інтерфейсу з абсорбером для тонко-плівкових сонячних елементів на основі Cu(In,Ga)Se2 : кваліфікаційна робота магістра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Рибальченко Євгеній Миколайович. - Київ, 2021. - 48 с.