Oптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF

dc.contributor.advisorСкришевський Валерій Антонович
dc.contributor.authorКандибка Ірина Віталіївна
dc.date.accessioned2022-07-11T11:25:13Z
dc.date.available2022-07-11T11:25:13Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractУ цій роботі представлений новий метод утворення локальних контактних отворів у пасиваційномушарі оксиду алюмінію (Al2O3) на задній поверхні надтонких сонячних елементів CIGS за рахунок селенування солі фториду літію (LiF) на поверхніAl2O3. Описаний метод є економічно ефективним, швидким, сумісним з промисловим виробництвом та екологічно чистим.Вперше контактні нанорозмірніотвори з однорідним розподілом утворено у відносно товстому шарі Al2O3що досягає 30 нм за допомогою економічно ефективного методу.uk_UA
dc.identifier.citationКандибка І. В. Oптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіF : випускна кваліфікаційна робота магістра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Кандибка Ірина Віталіївна. - Київ, 2021. - 51 с.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ir.library.knu.ua/handle/123456789/1369
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subject10 Природничі наукиuk_UA
dc.subject105 Прикладна фізика та наноматеріалиuk_UA
dc.titleOптимізація точкових контактних отворів у пасиваційному шарі задньої поверхні Cu(In,Ga)Se2 сонячних елементів за допомогою солі LіFuk_UA
science.typeМагістерські роботиuk_UA
Файли
Контейнер Original
Зараз відображається 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
Kandybka_mahistr.pdf
Розмір:
2.9 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
магістерська робота